长期供应 三*管 *R10200* *R20600* 等多种型号

地区:广东 汕头
认证:

邓建锋

普通会员

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加工定制:否品牌:*型号:*R10200**R20600*
应用范围:功率材料:硅(Si)*性:NPN型
集电**大允许电流ICM:1(A) 集电**大耗散功率PCM:1(W) 截止频率fT:1(MHz)
结构:点接触型封装形式:直插型封装材料:金属封装







产品参数 T=25

 

Characteristics(参数)Symbol(*号)Value(额定值)Units(单位)
漏源反向击穿电压BV dss600V
连续漏*电流I d2.4A
栅源电压V gs&plu*n;30V
雪崩能量E as140mJ
耗散功率P d64W
储存温度T stg-55~150
热阻(结到壳)R jc1.95℃/W
正向压降V sd1.4V