产品详情

长期经营场效应 IRF630 IRF740

地区：广东汕头

认证：无

邓建锋

普通会员

全部产品进入商铺

图文详情
产品属性
相关推荐

品牌：拆机场效应	型号：IRF630IRF740	种类：*缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道	导电方式：耗尽型	用途：SW-REG/开关电源
封装外形：P-DIT/塑料双列直插	材料：N-FET硅N沟道

$\"\"$

$\"\"$

$\"\"$

产品参数 T=25

Characteristics(参数）	Symbol(*号）	Value(额定值）	Units(单位）
漏源反向击穿电压	BV dss	600	V
连续漏*电流	I d	2.4	A
栅源电压	V gs	&plu*n;30	V
雪崩能量	E as	140	mJ
耗散功率	P d	64	W
储存温度	T stg	-55～150	℃
热阻（结到壳）	R jc	1.95	℃/W
正向压降	V sd	1.4	V

"