场效应管2SK1998
地区：广东 汕头
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无
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产品属性
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| 品牌/商标 | 东芝 | 型号/规格 | 2SK1998 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | *间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | *大漏*电流 | 0（mA） |
| *大耗散功率 | 0（mW） |
供应一系列三*管
| C83M-004 |
| C83-004 |
| C60P06Q |
| 30P04Q |
| 25P06Q |
| 25P04Q |
| 16P06Q |
| 16P04Q |
| *L3045 |
| *L3040 |
| *R20200 |
| *R20100 |
| *R10100 |
| *R6045 |
| *R4060 |
| *R4045 |
| *R3060 |
| *R3045 |
| *R3040 |
| *R3035 |
| *R3030 |
| *R2545 |
| *R2060 |
东芝
2SK1998
