场效应管2SK2021

地区:广东 汕头
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王钟禄

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品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK2021
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 DC/直流
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 0(V) 夹断电压 0(V)
低频跨导 0(μS) *间电容 0(pF)
低频噪声系数 0(dB) *大漏*电流 0(mA)
*大耗散功率 0(mW)

供应一系列三*管

2SC3264合230V 17A 200W
2SC3264230V 17A 200W
2SA1295合230V 17A 200W
2SA1295230V 17A 200W
2SC3858合200V 17A 200W
2SC3858200V 17A 200W
2SA1494合200V 17A 200W
2SA1494200V 17A 200W
2SC2922合180 17A 200W
2SC2922180 17A 200W
2SA1216合180 17A 200W
2SA1216180 17A 200W
2SC2921合160V 15A 150W
2SC2921160V 15A 150W
2SA1215合160V 15A 150W
2SA1215160V 15A 150W



品牌

富士通

型号

2SK2021