IRF830 原装场效应管TO-220封装 4.5A/500V

场效应管 MOSFET N TOV 5A

• 晶体管*性:ñ频道
• 电流, Id 连续:5A
• 电压, Vds *大:500V
• 在电阻RDS（上）:1.4ohm
• 电压 @ Rds测量:10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
• 功耗, Pd:74W
• 封装类型:TO-220AB
• 针脚数:3
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
• 功率, Pd:74W
• 功耗:74W
• 封装类型:TO-220AB
• 晶体管数:1
• 温度 @ 电流测量:25°C
• 满功率温度:25°C
• 漏*电流, Id *大值:5A
• 热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds 典型值:500V
• 电压, Vgs *高:30V
• 电流, Idm 脉冲:20A
• 表面安装器件:通孔安装
• 阈值电压, Vgs th *高:4V