台基岘峰(TECHSEM)牌MUR200*快恢复二

品牌:台基型号:MUR20040 控制方式:双向 *数:三* 封装材料:塑料封装封装外形:平底形关断速度:高频(快速) 散热功能:不带散热片频率特性:高频功率特性:*率额定正向平均电流:200（A）反向重复峰值电压:400（V）

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平板式元器件简述

一、命名规则：

二、特点：1、全扩散工艺 2、平板型陶瓷管壳封装 3、中心放大门*结构 4、双面冷却 5、大电流

三、典型应用：1、大功率变流器 2、交直流电机控制 3、交直流开关 4、相控整流 5、有源和无源逆变

三、说明：1、I_GTV_GTI_H为25°C测试值，除非另作说明，参数表中其它参数皆为在T_jm下的测试值。
2、I²t=I²_TSM×tw/2;tw=正弦半波电流底宽。在50Hz下，I²t=0.005I²_TSM(A²s)
3、当使用在电流为60HZ情况下：
I_TSM(8.3ms)=I_TSM(10ms)×1.066,T_j=T_jmI²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm
4、V_TO:门槛电压，r_T斜率电阻
5、门*引线:白色或无色；阴*引线（需要时）:红色

产品展示>>功率半导体模块>>MUR200 *快恢复二*管

特点	典型应用	说明
1、快软恢复 2、内置双二管 3、低正向压降 4、低开关损耗 5、175℃工作结温	1、开关电源 2、逆变器 3、续流二*管	MUR200模块在安装中，模块接线端子扭矩须严格控制在0.28-0.46kg.m的范围内，建议使用扭矩扳手，以损伤器件。

型号	I_F(*)	V_RRM	I_RRM	I_FRM	I_FSM	V_FM	t_rr	R_th(j-c)	T_j	外型	备注
	A	V	μA	A	A	V	ns	°C/W	°C
	整只器件		125°C 25°C	20kHz Tc95°C	PerLeg 10ms 正弦半波	PerLeg 25°C@100A	25°C
MUR20020	200(Tc=130℃)	200	1000 150	200	800	1.0	50	0.45	-55-+175	outline
MUR20040	200(Tc=100℃)	400	500 50	200	800	1.3	75	0.45	-55-+175	outline

注：
电路图：