肖特基IN5819、二*管、元器件、半导体、diodes
地区：山东 济南
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无
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产品属性
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该为肖特基二*管
IN5817反向特性为VR(V)=20，IR(mA)@VR=1.0；正向特性：IFM(A)=1，VFM(V)@IFM=0.45
IN5818反向特性为VR(V)=30，IR(mA)@VR=1.0；正向特性：IFM(A)=1，VFM(V)@IFM=0.55
IN5819反向特性为VR(V)=40，IR(mA)@VR=1.0；正向特性：IFM(A)=1，VFM(V)@IFM=0.60
封装形式为：DO-41。
| T*e | I(*) | VRRM(I=IRM) | IFSM | VFM | VFM | IRM | IRM | Case Style |
| VFM | I(*) | TA=25ºC | TA=100ºC | |||||
| A | V | A | V | A | uA | uA | ||
| IN5817 | 1.0 | 20 | 25 | 0.45 | 1.0 | 1.0 | 10 | DO-41 |
| IN5818 | 1.0 | 30 | 25 | 0.55 | 1.0 | 1.0 | 10 | DO-41 |
| IN5819 | 1.0 | 40 | 25 | 0.60 | 1.0 | 1.0 | 10 | DO-41 |
|
是
肖特基管
否
*I
IN5819
硅(Si)
VRRM=40V
肖特基整流二*管
DO-41封装
