硅双向触发二*管DB3

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产品类型 触发二*管 品牌/商标 国产
型号/规格 DB3 结构 外延型
材料 硅(Si) 封装形式 直插型
封装材料 玻璃封装 功率特性 小功率
频率特性 低频 发光颜色
LED封装 出光面特征
发光强度角分布 *高反向电压VR 28(V)
正向直流电流IF 0.1(A)

工厂直供,品质*,DB3硅双向触发二*管。

型号:DB3

封装:DO-41

 

 

双向触发二*管(DIAC)

触发二*管又称双向触发二*管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅,在电路中作过压保护等用途。

  

  

触发二*管分类

  图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的*号及等效电路,可等效于基*开路、发射*与集电*对称的NPN型晶体管。因此*可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。

  双向触发二*管正、反向伏安特性几乎*对称(见图5)。当器件两端所加电压U低于正向转折电压VB0)时,器件呈高阻态。当U>V(B0)时,管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压VBR)时,管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用VB)表示。VB=VB0-VBR)。一般VB)应小于2伏。双向触发二*管的正向转折电压值一般有三个等级:20-60V100-150V200-250V。由于转折电压都大于20V,可以用万用表电阻挡正反向测双向二*管,表针均应不动(RX10k),但还不能*确定它就是好的。检测它的好坏,并能提供大于250V的直流电压的电源,检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有,可用兆欧表按图6所示进行测量(正、反各一次),电压大的一次VBR)。例如:测一只DB3型二*管,*次为27.5V,反向后再测为28V,则VB=VB0-VBR=28V-27.5V=0.5V<2V,表明该管对称性很好。

  图7是双向触发二*管与双向可控硅等元件构成的台灯调光电路。通过调节电位器R2,可以改变双向可控硅的导通角,从而改变通过灯泡的电流(平均值)实现连续调光。如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。

该电路在双向可控硅加散热器的情况下,可控负载功率可达500W,各元件参数见图所标注。

双向触发二*管的检测

正反向电阻值的测量,用万用表R×1kR×10k档,测量双向触发二*管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为*大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二*管已击穿损坏。

 

测量转折电压方法

  测量双向触发二*管的转折电压有三种方法(如图3所示):

1)将兆欧表的正*(E)和负*(L)分别接双向触发二*管的两端,用兆欧表提供击穿电压,同时用万用表的直流电压档测量出电压值,将双向触发二*管的两*对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差(一般为3~6V)。此偏差值越小,说明此二*管的性能越好。

2)先用万用表测出市电电压U,然后将被测双向触发二*管串入万用表的交流电压测量回路后,接入市电电压,读出电压值U1,再将双向触发二*管的两*对调连接后并读出电压值U2

  若U1U2的电压值相同,但与U的电压值不同,则说明该双向触发二*管的导通性能对称性良好。若U1U2的电压值相差较大时,则说明该双向触发二*管的导通性不对称。若U1U2电压值均与市电U相同时,则说明该双向触发二*管内部已短路损坏。若U1U2的电压值均为0V,则说明该双向触发二*管内部已开路损坏。

3)用0~50V连续可调直流电源,将电源的正*串接120kΩ电阻器后与双向触发二*管的一端相接,将电源的负*串接万用表电流档(将其置于1mA档)后与双向触发二*管的另一端相接。逐渐增加电源电压,当电流表指针有较明显摆动时(几十微安以上),则说明此双向触发二*管已导通,此时电源的电压值即是双向触发二*管的转折电压。

品牌/商标

国产

型号/规格

DB3

封装形式

直插型

功率特性

小功率

频率特性

低频