硅双向触发二*管DB3

工厂直供，品质*，DB3硅双向触发二*管。

型号：DB3

封装：DO-41

双向触发二*管（DIAC)

触发二*管又称双向触发二*管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅，在电路中作过压保护等用途。

触发二*管分类

　　图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的*号及等效电路，可等效于基*开路、发射*与集电*对称的NPN型晶体管。因此*可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。

　　双向触发二*管正、反向伏安特性几乎*对称（见图5）。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V（B0）时，器件呈高阻态。当U>V(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V（BR）时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V（B）表示。△V（B）=V（B0）-V（BR）。一般△V（B）应小于2伏。双向触发二*管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V，可以用万用表电阻挡正反向测双向二*管，表针均应不动（RX10k),但还不能*确定它就是好的。检测它的好坏，并能提供大于250V的直流电压的电源，检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有，可用兆欧表按图6所示进行测量（正、反各一次），电压大的一次V（BR）。例如：测一只DB3型二*管，*次为27.5V，反向后再测为28V，则△V（B）=V（B0）-V（BR）=28V-27.5V=0.5V<2V,表明该管对称性很好。

　　图７是双向触发二*管与双向可控硅等元件构成的台灯调光电路。通过调节电位器R2，可以改变双向可控硅的导通角，从而改变通过灯泡的电流（平均值）实现连续调光。如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。

该电路在双向可控硅加散热器的情况下，可控负载功率可达500W，各元件参数见图所标注。

双向触发二*管的检测

正反向电阻值的测量，用万用表R×1k或R×10k档，测量双向触发二*管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为*大。若测得正、反向电阻值均很小或为0，则说明该二*管已击穿损坏。

测量转折电压方法

　　测量双向触发二*管的转折电压有三种方法（如图3所示）：

1）将兆欧表的正*（E）和负*（L）分别接双向触发二*管的两端，用兆欧表提供击穿电压，同时用万用表的直流电压档测量出电压值，将双向触发二*管的两*对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差（一般为3~6V）。此偏差值越小，说明此二*管的性能越好。

2）先用万用表测出市电电压U，然后将被测双向触发二*管串入万用表的交流电压测量回路后，接入市电电压，读出电压值U1，再将双向触发二*管的两*对调连接后并读出电压值U2。

　　若U1与U2的电压值相同，但与U的电压值不同，则说明该双向触发二*管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时，则说明该双向触发二*管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时，则说明该双向触发二*管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V，则说明该双向触发二*管内部已开路损坏。

3）用0~50V连续可调直流电源，将电源的正*串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二*管的一端相接，将电源的负*串接万用表电流档（将其置于1mA档）后与双向触发二*管的另一端相接。逐渐增加电源电压，当电流表指针有较明显摆动时（几十微安以上），则说明此双向触发二*管已导通，此时电源的电压值即是双向触发二*管的转折电压。