IRF1404 概述IR的HEXFET功率场效应管IRF1404采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF1404这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF1404成为*其**、应用范围*广的器件。TO-220封装的IRF1404普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF1404得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF1404适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF1404的通孔安装版，适合较低端的应用。| IRF1404 参数 | | IRF1404 基本参数 | | VDSS | | 40 V | | ID@25℃ | | 162 A | | RDS(on)Max | | 4.0 mΩ | | IRF1404 其他特性 | | FET*性 | | N型沟道 | | Qg T* | | 160 nC | | IRF1404 封装与引脚 | | TO-220AB, TO-263, TO-262 |
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