TLP352是可直接驱动中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封装的IC耦合器。该产品的*大延迟时间为200 ns，光电耦合器之间的传输延迟时间差(PDD^*) 为90 ns(上述延迟时间均为工作温度范围内的*值), 能够减少停滞时间，*变频电路的效率。该产品采用的是使用寿命*长的新型LED，因此其工作温度范围较大，在-40°C到125°C之间。该产品适用于许多设备，包括*端热环境下使用的工业设备、家用光电动力系统、数字家用电器、测量装置和控制装置。

^*: PDD是传输延迟时间差的缩写。