供应整流桥DF06S

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整流桥就是将整流管封在一个壳内了.分全桥和半桥.全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二*管封在一起.半桥是将两个二*管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压.

 

整流桥的原理   

整流桥堆  整流桥堆一般用在全波整流电路中,它又分为全桥与半桥。   全桥是由4只整流二*管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的,图是其外形。   全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格,耐压值(*高反向电压)有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。   选择整流桥要考虑整流电路和工作电压.优质的厂家有“文斯特电子”的G系列整流桥堆,*品牌有ST、IR等。整流桥堆一般用在全波整流电路中,它又分为全桥与半桥。   整流桥命名规则   一般整流桥命名中有3个数字,*个数字代表额定电流,A;后两个数字代表额电压(数字*100),V   如:KBL410 即4A,1000V   RS507 即5A,1000V。(1234567分别代表电压档的50V,100V,200V,400V,600V,800V,1000V)

整流桥堆

  整流桥堆一般用在全波整流电路中,它又分为全桥与半桥。   全桥是由4只整流二*管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的,图是其外形。   全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格,耐压值(*高反向电压)有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。   常用的国产全桥有佑风YF系列,*全桥有ST、IR等。

*分析

  整流桥在强迫风冷时的*分析前面本文*同情形下的传热途径着手,用理论的方法分析了整流桥在三种不同冷却方式下的传热过程,在此本文通过*软件详细的整流桥模型来对带有散热器、强迫风冷下的整流桥散热问题进行进一步的阐述。   图5、*计算模型如上图是*计算的模型外型图。在该模型中,通过解剖一整流桥后得到的相关尺寸参数来进行*分析模型的建立。其*分析结果如下所示:   图6、整流桥散热器基板温度分布   有上图可以看出,整流桥散热器的基板温度分布相对而言还是比较均匀的,约70 ℃左右。即使在四个二*管正下方的温度与整流桥壳体背面与散热器相接触的外边缘,也**只有5 ℃左右的温差。这主要是由于散热器基板是一有*厚度且导热性能较好的铝板,它能够*地把整流桥背面的不均匀温度进行均匀化。   整流桥壳体正面表面的温度分布。从上图可以看出,整流桥壳体正面的温度分布是*不均匀的,在热源(二*管)的正上方其表面温度*109 ℃,然而在整流桥的中间位置,远离热源处却只有75 ℃,其表面的温差可*34℃左右。这主要是由于覆盖在二*管表面的是导热性能较差的FR4(其导热系数小于3.0W/m.℃),因此它对整流桥壳体正表面上的温度均匀化效果很差。同时,这也验证了为什么我们在采用整流桥壳体正表面温度作为计算的壳温时,对测温热电偶位置的放置不同,得到的结果其离散性很差这一原因。图8是整流桥内部热源中间截面的温度分布。由该图也可以进一步说明,在整流桥内部由于器封装材料是导热性能较差的FR4,所以其内部的温度分布*不均匀。我们以后在测量或分析整流桥或相关的其它功率元器件温度分布时,应着重注意该现象,力图避免该影响对测量或测试结果产生的影响。 

整流桥的原理

整流桥堆

  整流桥堆一般用在全波整流电路中,它又分为全桥与半桥。

  全桥是由4只整流二*管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的,图是其外形。

  全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格,耐压值(*高反向电压)有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。

  选择整流桥要考虑整流电路和工作电压.优质的厂家有“文斯特电子”的G系列整流桥堆,*品牌有ST、IR等。整流桥堆一般用在全波整流电路中,它又分为全桥与半桥。

  整流桥命名规则

  一般整流桥命名中有3个数字,*个数字代表额定电流,A;后两个数字代表额电压(数字*100),V

  如:KBL410 即4A,1000V

  RS507 即5A,1000V。(1234567分别代表电压档的50V,100V,200V,400V,600V,800V,1000V)

整流桥堆

  整流桥堆一般用在全波整流电路中,它又分为全桥与半桥。

  全桥是由4只整流二*管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的,图是其外形。

  全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格,耐压值(*高反向电压)有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。

  常用的国产全桥有佑风YF系列,*全桥有ST、IR等。

 

*分析

  整流桥在强迫风冷时的*分析前面本文*同情形下的传热途径着手,用理论的方法分析了整流桥在三种不同冷却方式下的传热过程,在此本文通过*软件详细的整流桥模型来对带有散热器、强迫风冷下的整流桥散热问题进行进一步的阐述。

  图5、*计算模型如上图是*计算的模型外型图。在该模型中,通过解剖一整流桥后得到的相关尺寸参数来进行*分析模型的建立。其*分析结果如下所示:

  图6、整流桥散热器基板温度分布

  有上图可以看出,整流桥散热器的基板温度分布相对而言还是比较均匀的,约70 ℃左右。即使在四个二*管正下方的温度与整流桥壳体背面与散热器相接触的外边缘,也**只有5 ℃左右的温差。这主要是由于散热器基板是一有*厚度且导热性能较好的铝板,它能够*地把整流桥背面的不均匀温度进行均匀化。

  整流桥壳体正面表面的温度分布。从上图可以看出,整流桥壳体正面的温度分布是*不均匀的,在热源(二*管)的正上方其表面温度*109 ℃,然而在整流桥的中间位置,远离热源处却只有75 ℃,其表面的温差可*34℃左右。这主要是由于覆盖在二*管表面的是导热性能较差的FR4(其导热系数小于3.0W/m.℃),因此它对整流桥壳体正表面上的温度均匀化效果很差。同时,这也验证了为什么我们在采用整流桥壳体正表面温度作为计算的壳温时,对测温热电偶位置的放置不同,得到的结果其离散性很差这一原因。图8是整流桥内部热源中间截面的温度分布。由该图也可以进一步说明,在整流桥内部由于器封装材料是导热性能较差的FR4,所以其内部的温度分布*不均匀。我们以后在测量或分析整流桥或相关的其它功率元器件温度分布时,应着重注意该现象,力图避免该影响对测量或测试结果产生的影响。

 

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是否提供加工定制

产品类型

整流桥、高压硅

是否*

品牌/商标

国产

型号/规格

DF06S

材料

硅(Si)

用途

整流桥、高压硅

备注

0.4/PCS