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优势供应IGBT SGP20N60 G20N60 TO-220AB INFINEON英飞凌原装

地区：广东 深圳
认证： 无

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优势供应IGBT SGP20N60 G20N60 TO-220AB INFINEON英飞凌原装

 

在“不扩散核*条约”的技术快速的S-IGBT

•75％的低EOFF
 结合上一代相比
低传导损耗
•短路耐受时间 - 10微秒
•专为：
- 电机控制
- 逆变器
•“不扩散核*条约”-600V应用技术提供：
- 参数分布*紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力








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品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

SGP20N60 G20N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

HI-REL/高*性

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

IGBT*缘栅比*