深圳市大芯半导体有限公司
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产品属性
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参 数 名 称
* 号
测 试 条 件
* 小
* 大
单位
集电*--基*击穿电压
BVCBO
IC=100μA,IE=0
180
V
集电*--发射*击穿电压
BVCEO
IC=1mA,IB=0
160
发射*--基*击穿电压
BVEBO
IE=100μA,IC=0
5
集电*--基*截止电流
ICBO
VCB=120V,IE=0
200
nA
发射*--基*截止电流
IEBO
VEB=4V,IC=0
直流电流增益
hFE
VCE=5V,IC=10mA
80
300
集电*--发射*饱和电压
VCE(sat)
IC=50mA, IB=5mA
0.5
0N/安森美
M*T5551LT1 M*T5401LT1
贴片
平面型
塑料封装
硅
NPN型
*率
高频
功率
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