M*T5551LT1 M*T5401LT1

地区:广东 深圳
认证:

深圳市大芯半导体有限公司

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参 数 名 称

* 号

测 试 条 件

* 小

* 大

单位

集电*--基*击穿电压

BVCBO

IC=100μA,IE=0

180

V

集电*--发射*击穿电压

BVCEO

IC=1mA,IB=0

160

V

发射*--基*击穿电压

BVEBO

IE=100μA,IC=0

5

V

集电*--基*截止电流

ICBO

VCB=120V,IE=0

200

nA

发射*--基*截止电流

IEBO

VEB=4V,IC=0

200

nA

直流电流增益

hFE

VCE=5V,IC=10mA

80

300

集电*--发射*饱和电压

VCEsat

IC=50mA, IB=5mA

0.5

V

供应M*T5551LT1 M*T5401LT1SOT-23 高压贴片三*管,有意者请联系
品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

M*T5551LT1 M*T5401LT1

类别

贴片

结构

平面型

封装形式

塑料封装

材料

*性

NPN型

电流容量

*率

频率类型

高频

封装材料

塑料封装

应用范围

功率