供应1W稳压二*管，*1W稳压二*管，量大从优

产品参数：

 　　**： 是
　　产品类型： 稳压管
　　是否*： 否
　　品牌： HYW
　　型号： 稳压二*管1W
　　材料： 硅(Si)
　　用途： 小家电
　　备注： 好质量

场效应管：

　　现在越来越多的电子电路*场效应管,*是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻*,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如图C-a.
　　场效应管是一种单*型晶体管,它只有一个P-N结,在*偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅*(G)和源*(S)之间加上一个反向偏压(称栅*偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏*电流将变小,(如图C1-b),反向偏压**时,耗尽区将*沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅*电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的*对值.
　　在制造场效应管时,如果在栅*材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的*缘层的话,则将会大大地减小栅*电流,也大大地增加其输入阻*,由于这*缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为*缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是*缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,*偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.
　　*缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当Vgs=0时Id(漏*电流)=0,只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏*电流产生.并称开始出现漏*电流时的栅源电压Vgs为开启电压.
　　耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅*上基本无栅流(*高的输入电阻).
　　结型栅场效应管应用的电路可以使用*缘栅型场效应管,但*缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型 栅场效应管代替.