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 制造商 Vishay Siliconix
制造商零件编号 SI7884BDP-T1-GE3
描述: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK 8SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 :无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表:SI7884BDP

产品相片:PowerPAK SO-8 Pkg 

标准包装 : 3,000

类别:分立式导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装: 带卷 (TR) 

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压 (Vdss):40V

电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):58A (Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 16A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):77nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3540pF @ 20V

功率 - 最大值:46W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

产品目录页面1663 (CN2011-ZH PDF)

其它名称SI7884BDP-T1-GE3TR
SI7884BDPT1GE3


型号/规格

SI7884BDP

品牌/商标

VISHAY

环保类别

无铅环保型