1N60 场效应晶体管

  *大耗散功率PD: 35 W、*大漏*直流电流ID：1A、*大漏源电压VDSS：600V、漏*电流（*栅压）IDSS：1μA、阀值电压VGS(th)：2V～4V、漏源导通电阻RDON：12 Ω、开关时间260 ns。 该项目代表产品1N60型TO-251、TO-252封装场效应晶体管

 

 

 

 

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