2N7002E
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 品牌/商标 | NXP | 型号/规格 | 2N7002E,215 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | HI-IMP/高输入阻* |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
| 开启电压 | 3（V） | 夹断电压 | 2（V） |
| 低频跨导 | 3（μS） | *间电容 | 2（pF） |
| 低频噪声系数 | 3（dB） | *大漏*电流 | 2（mA） |
| *大耗散功率 | 3（mW） |
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NXP
2N7002E,215
