供应场效应管1N60 DG1N60 TO-220 原装
地区：广东 东莞
认证：
无
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产品属性
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原厂*，价格优惠，质量*！
产品参数 T=25
| Characteristics(参数） | Symbol(*号） | Value(额定值） | Units(单位） |
| 漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
| 连续漏*电流 | I d | 1 | A |
| 栅源电压 | V gs | &plu*n;30 | V |
| 雪崩能量 | E as | 160 | mJ |
| 耗散功率 | P d | 40 | W |
| 储存温度 | T stg | -55～150 | ℃ |
| 热阻（结到壳） | R jc | 3.13 | ℃/W |
| 正向压降 | V sd | 1.4 | V |
东光
1N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
2（V）
650（V）
4000（μS）
8（pF）
23（dB）
100（mA）
250（mW）
