供应场效应管1N60 DG1N60 TO-220 原装

地区:广东 东莞
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产品参数 T=25

 

Characteristics(参数)Symbol(*号)Value(额定值)Units(单位)
漏源反向击穿电压BV dss600V
连续漏*电流I d1A
栅源电压V gs&plu*n;30V
雪崩能量E as160mJ
耗散功率P d40W
储存温度T stg-55~150
热阻(结到壳)R jc3.13℃/W
正向压降V sd1.4V
"
品牌

东光

型号

1N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2(V)

夹断电压

650(V)

跨导

4000(μS)

*间电容

8(pF)

低频噪声系数

23(dB)

漏*电流

100(mA)

耗散功率

250(mW)