三菱高频分立MOSFET管 RD100HHF1(图)

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RD100HHF1:RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W

D*CRIPTION
RD100HHF1 is a MOS FET t*e transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications.

FEATUR*
High power and High Gain:Pout>100W, Gp>11.5dB @Vdd=12.5V,f=30MHz High Efficiency: 60%t*.on HF Band
APPLICATION
For output stage of high power amplifiers in HF Band mobile radio sets.RoHS 
COMPLIANT
RD100HHF1-101  is a RoHS compliant products.RoHS compliance is indicate by the letter “G” after the Lot Marking

"
是否提供**

品牌/商标

Mitsubishi/三菱

型号/规格

RD100HHF1

应用范围

功率

材料

硅(Si)

*性

NPN型

击穿电压VCBO

12.5(V)

集电*耗散功率PCM

100(W)

截止频率fT

30(MHz)

结构

面接触型

封装形式

贴片型

封装材料

金属封装