热释电传感器RE200B

热释电传感器RE200B

灵敏元件

面积 2.0×1.0mm2
基片材料 硅
基片厚度 0.5mm
工作波长 7-14μm
平均透过率 ＞75%
输出信号 ＞2.5V
(420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益)
噪声 ＜200mV
(mVp-p) (25℃)
平衡度 ＜20%
工作电压 2.2-15V
工作电流 8.5-24μA
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
源*电压 0.4-1.1V
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
工作温度 -20℃- +70℃
保存温度 -35℃- +80℃
视场 139°×126°
说明 该传感器采用热释电材料*化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，*了传感器的工作稳定性