现货供应74HC595D NXP 贴片 *原装

          现货供应74HC595D  NXP  SO16 *原装，2500只/盘，泰国封，批号：10+，品质优良，欢迎选购！

    74HC595D NXP SO16 是恩智浦NXP半导体（菲利浦PHILIPS半导体事业部*组建）原产硅结构CMOS器件，5V的8位串行或并行输出锁存器与移位寄存器（三态输出），兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL系列）电路，遵守JEDEC标准，在SH_CP的上升沿，数据发生移位，而在ST_CP的上升沿，数据从每个寄存器中传送到存储寄存器，如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。 移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。74HC595D特性：8位串行输入，8位串行或并行输出，存储寄存器带有三态输出，移位寄存器可直接清*，100MHZ（典型）移出频率，*D保护，HBM EIA/J*D22-A114-A*过2000V ，MM EIA/J*D22-A115-A*过200V ，74HC595D主要参数：电压：2.0V-6.0V,驱动电流:正负7.8MA,传输延迟16纳秒 5V,逻辑电平CMOS,功能:

  × × L ↓ × L NC MR为低电平时**影响移位寄存器
  × ↑ L L × L L 空移位寄存器到输出寄存器
  × × H L × L Z 清空移位寄存器，并行输出为高阻状态
  ↑ × L H H Q6 NC 逻辑高电平移入移位寄存器状态0，包含*的移位寄存器状态 移入，例如，以前的状态6（内部Q6”）出现在串行输出位。
  × ↑ L H × NC Qn’ 移位寄存器的内容到达保持寄存器并从并口输出
  ↑ ↑ L H × Q6’Qn’ 移位寄存器内容移入，先前的移位寄存器的内容到达保持寄存器并出。
  H＝高电平状态    L＝低电平状  ↑＝上升  ↓＝下降沿
  Z＝高阻         NC＝无变      ×＝无效
  当MR为高电平，OE为低电平时，数据在SHCP上升沿进入移位寄存器，在STCP上升沿输出到并行端口.

    74HC595D SO16 运行温度范围:-40--+125摄氏度,贮存温度:-65--+150摄氏度,*合欧盟ROHS认证执行标准.

    上海珂马科贸有限公司经销各知名品牌原装二三*管,集成电路,三端稳压,光电耦合器,逻辑IC,线性IC等,直插,贴片都做,优势品牌有:ST,TI,FSC,NXP(PHILIPS),TOSHIBA,HITACHI(REN*AS),NS,HT,*AGO,NEC,KEC,ON,SHARP,IR,MICROCHIP,XILINX,MAXIM,INTERSIL,

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