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产品属性
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品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF630N | 种类:*缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 |
封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:IGBT*缘栅比* | 开启电压:正负20V(V) |
夹断电压:200(V) | 低频跨导:4.9(μS) | *间电容:486(pF) |
*大漏*电流:9.3A(mA) | *大耗散功率:82W(mW) |
现货供应IRF630N IR TO-220 *原装,50只/管,品质优良,欢迎选购!
IRF630N IR TO-220 是IR国际整流器公司(IR INTERNATIONAL RE*IFIER)原产场效应晶体管,200V的单N沟道HEXFET功率MOSFET,采用TO-220AB封装,特性:*的工艺技术,*导通电阻,动态的DV/DT评价,175摄氏度工作温度,快速开关,充分额定雪崩.*的HEXFETAL功率MOSFET来自国际*的整流器加工技术,实现*低的每只芯片面积阻力,它的优点综合了快速开关速度和*装置设计,HEXFET功率MOSFET为大众所熟悉源于其在各种应用设计的使用中提供了一个**和*的装置.TO-220封装是*工业商业*,其功耗水平大约50瓦特.低热阻以及TO-220封装的*有助于其在整个行业被广泛接受.
上海珂马科贸有限公司经销各知名品牌原装二三*管,集成电路,三端稳压,光电耦合器,运算放大器,逻辑IC,线性IC等,直插,贴片都做,优势品牌有:ST,TI,FSC,ATMEL,IR,ON,NS,NEC,HT,*AGO,EVER LIGHT,SHARP,TOSHIBA,HITACHI(REN*AS),NXP(PHILIPS),MICROCHIP,WI*OND,LATTICE,XILINX,MAXIM,KEC,AMS,HTC,INTERSIL,WS,
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