UC3842BD1R2G ON 贴片 原装

          现货供应UC3842BD1R2G  ON  贴片 SOIC-8 窄体 *原装，2500只/盘，菲律宾封，批号：10+，品质优良，欢迎选购！

    UC3842BD1R2G ON  SOIC-8 窄体 是安森美半导体（ON SEMICONDU*OR）原产*电流模式控制器，交流-直流（AC-DC）控制器和稳压器/离线控制器，UC3842BD1R2G是*固定频率电流模式控制器，专为离线和直流至直流变换器应用而设计，为设计人员提供**少外部元件就能获得成本效益高的解决方案，这些集成电路具有可微调的振荡器，能进行*的占空比控制，温度补偿的参考，高增益误差放大器，电流取样比较器和大电流图腾柱式输出，是驱动功率MOSFET的理想器件。其它的保护特性包括输入和参考欠压锁定，各有滞后，逐周电流限制，可编程输出静区时间和单个脉冲测量锁存。这些器件可提供8脚塑料表面贴装封装（SOIC8），UC3842BD1R2G有16V（通）和10V（断）低压锁定门限，十分适合于离线变换器，特性：微调的振荡器放电电流，可*控制占空比，电流模式工作到500千赫，自动前馈补偿，锁存脉宽调制，可逐周限流，内部微调的参考电压，带欠压锁定，大电流图腾柱输出，欠压锁定，带滞后，低启动和工作电流，无铅封装。工作描述：震荡器：振荡器频率由定时元件RT和*选择值决定，电容*由5.0V的参考电压通过电阻R1充电,充至约2.8V再由一个内部的电流宿放电至1.2V,在*放电期间,振荡器产生一个内部消隐脉冲保持"或非"门的中间输入为高电平,这导致输出为低状态,从而产生了一个数量可控的输出静区时间.图1显示R1与振荡器频率关系曲线,图2显示输出静区时间与频率关系曲线,它们都是在给定的C1值时得到的,注意尽管许多的R1和C1值都可以产生相同的振荡器频率,但只有一种组合可以得到在给定频率下的特定输出静区时间,振荡器门限是温度补偿的,放电电流在25摄氏度时被微调并*在正负10%之内.这些内部电路的优点使振荡器频率及*大输出占空比的变化*小,结果显示在很多噪声敏感应用中,可能希望将变换器频率锁定至外部系统系统时钟上,这可以通过将时钟信号加到电路来完成.为了*的锁定,振荡器自振频率应设为比时钟频率低10%左右.通过修整时钟波形,可以实现准确输出占空比箝位.误差放大器:提供一个有可访问反向输入和输出的全补偿误差放大器,此放大器具有90DB的典型直流电压增益和具有57度相位余量的1.0MHZ的增益为1带宽,同相输入在内部偏置于2.5V而不经管脚引出,典型情况下变换器输出电压通过一个电阻分压器分压,并由反向输入*,*大输入偏置电流为2.0UA,它将引起输出电压误差,后者等于输入偏置电流和等效输入分压器源电阻的乘积,误差放大器输出用于外部回路补偿,输出电压因两个二*管压降而失调并在连接至电流取样比较器的反相输入之前被三分,这将在管脚1处于状态时*在输入不出现驱动脉冲,这发生在电源正在工作并且负载被取消时,或者在软启动过程的开始*小误差放大器反馈电阻受限于放大器的拉电流(0.5MA和到达比较器的1.9V箝位电平所需的输出电压).电流取样比较器和脉宽调制锁存器:UC3842B作为电流模式控制器工作,输出开关导通由振荡器开始,当峰值电感电流到达误差放大器输出/补偿建立的门限电平时中止,这样在逐周基础上误差信号控制峰值电感电流,所用的电流取样比较器-脉宽调制锁存配置*在任何给定的振荡器周期内,*有一个单脉冲出现在输出端,电感电流通过*一个与输出开关Q1的源*串联的以地为参考的取样电阻RS转换成电压,此电压由电流取样输入*并与来自误差放大器的输出电平相比较,在正常的工作条件下,峰值电感电流由管脚上的电压控制,当电源输出过载或者如果输出电压取样丢失时,异常的工作条件将出现,在这些条件下,电流取样比较器门限将被内部箝位至1.0V,当设计一个大功率开关稳压器时,为了保持RS的功耗在一个合理的水平上希望降低内部箝位电压,调节此电压的简单方法是使用两个外部二*管来补偿内部二*管,以便在温度范围内有固定箝位电压,如果箝位电压降低过多将导致由于噪声拾取而产生的不误操作,通常在电流波形的前沿可以观察到一个窄尖脉冲,当输出负载较轻时,它可能会引起电源不稳定,这个尖脉冲的产生是由于电源变压器匝间电容和输出整流管恢复时间造成的,在电流取样输入端增加一个RC滤波器,使它的时间常数接近尖脉冲的持续时间,通常会消除不稳定性.管脚功能说明:1 补偿:该管脚为误差放大器输入并可用于环路补偿.2 电压反馈:该管脚是误差放大器的反相输入,通常通过一个电阻分压器连至开关电源输出.3 电流取样:一个正比于电感器电流的电压接至此输入,脉宽调制器使用此信息中止输出开关的导通.4 RT/*:通过将电阻RT连接至VREF以及电容*连接至地,使振荡器频率和*大输出占空比可调,工作频率可达500KHZ.5 地:该管脚是控制电路和电源的公共地.6 输出:该输出直接驱动功率MOSFET的栅*,*1.0A的峰值电流经此管脚拉和灌.7 VCC:该管脚是控制集成电路的正电源.8 VREF:该管脚为参考输出,这通过电阻RT向电容*提供充电电流.工作结温:+150摄氏度,工作温度:0--+70摄氏度,贮存温度:-65--+150摄氏度.

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