FQPF8N80C FSC TO220F 全塑封,原装 N沟道MOSFET场效应晶体管

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品牌:FSC*童半导体型号:FQPF8N80C种类:*缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:增强型封装外形:CHIP/小型片状
材料:IGBT*缘栅比*开启电压:+_30V(V) 夹断电压:800(V)
低频跨导:5.6S(μS) *间电容:1875(pF) *大漏*电流:32A(mA)
*大耗散功率:59W(mW)

          FQPF8N80C FSC TO220F 50只/管,1000只/包装,全塑封,*原包装,品质优良,欢迎选购!

    FQPF8N80C FSC 全塑封 TO220F 是*童半导体(Fairchild Semiconductor)原产场效应管,800V N沟道MOSFET ,N沟道增强型功率场效应晶体管是运用*童半导体专有平面条纹DMOS技术,这种*的技术已*针对尽量减少对通态电阻,提供*的开关性能,经受住在*量脉冲雪崩和减刑模式。此器件适合*率开关模式电源。

    特色:

              8A 800V