导热*缘低介电常数的氮化铝陶瓷基板

特性:片陶瓷功能:*缘装置陶瓷规格尺寸:100*100（mm）

氮化铝陶瓷基板作为电路元件及互连线承载体，广泛应用于军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、电力电子设备、汽车、日用家电、办公自动化等各个领域。如LED照明电路、点火模块、晶闸管散热、大功率模块电路、可控硅整流器、大功率晶体管、半导体激光器、固体继电器、开关电源、大功率集成电路及封装等要求*缘又高散热的大功率器件上。

高导热率

低介电常数

低热膨胀系数

高机械强度

高耐腐蚀性

性能内容	性能指标
体积密度 (g/cm³)	3.29
吸水率 (%)	0
热导率[20℃] (W/m·k)	≥170
线膨胀系数[RT-400℃] (10^-6/℃)	4.4
*弯强度 (Mpa)	>330
体积电阻率 (Ω·cm)	≥10¹⁴
介电常数 [1MHz]	~9
介质损耗 [1MHz]	~4×10^-4
*电强度 (KV/mm)	≥15.00
表面粗糙度Ra (μm)	0.2~0.5
翘曲度 (~/25.4₍_长度₎)	0.02~0.05
外观	致密、细晶

供应导热*缘低介电常数的氮化铝陶瓷基板