*缘导热性能优异的氮化铝陶瓷基板（aln）

品牌:海古德 型号:aln170 批号:aln 封装:SMD 营销方式:* 产品性质:新品 处理信号:数字信号 制作工艺:膜集成 集成程度:大规模 规格尺寸:100（mm） 工作温度:2000（℃）

北京海古德新技术有限公司成立于2008年11月，坐落于北京中关村科技园金桥科技产业基地。公司是一家具有自主知识产权的现代化高新技术生产企业，致力于新型电子陶瓷材料及其元器件的生产和研发。*产品氮化铝（AlN）陶瓷基片是*鼓励和重点支持的朝阳产业，获得过**基金的支持，为*火炬计划重点项目。氮化铝（AlN）陶瓷基片具有优良的热传导性、*的电*缘性、低的介电常数和介质损耗，是新一代LED照明、大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件理想的散热和封装材料。

氮化铝陶瓷基板作为电路元件及互连线承载体，广泛应用于军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、电力电子设备、汽车、日用家电、办公自动化等各个领域。如LED照明电路、点火模块、晶闸管散热、大功率模块电路、可控硅整流器、大功率晶体管、半导体激光器、固体继电器、开关电源、大功率集成电路及封装等要求*缘又高散热的大功率器件上。

1. 流延法氮化铝陶瓷基片Tape Casting
2. 干压法氮化铝陶瓷基板Dry-pressed
3. *法氮化铝陶瓷元件Injection Molding

性能内容	性能指标
体积密度 (g/cm3)	3.29
吸水率 (%)	0
热导率[20℃] (W/m·k)	≥170
线膨胀系数[RT-400℃] (10-6/℃)	4.4
*弯强度 (Mpa)	>330
体积电阻率 (Ω·cm)	≥1014
介电常数 [1MHz]	~9
介质损耗 [1MHz]	~4×10-4
*电强度 (KV/mm)	≥15.00
表面粗糙度Ra (μm)	0.2~0.5
翘曲度 (~/25.4(长度))	0.02~0.05
外观	致密、细晶