简介 肖特基二*管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，*D是肖特基势垒二*管
肖特基二*管结构原理图（SchottkyBarrierDiode,缩写成*D）的简称。*D不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，*D也称为金属－半导体（接触）二*管或表面势垒二*管，它是一种热载流子二*管。 是近年来问世的低功耗、大电流、*速半导体器件。其反向恢复时间*短（可以小到几纳秒），正向导通压降*0.4V左右，而整流电流却可*几千毫安。这些优良特性是快恢复二*管所*拟的。中、小功率肖特基整流二*管大多采用封装形式。 原理 肖特基二*管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正*，以N型半导体B为负*，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中*有*少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起*宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动*相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
肖特基二*管典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳*使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，*管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N 阴*层，其作用是减小阴*的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳*金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳*金属接电源正*，N型基片接电源负*）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二*管也已问世，这不*可节省贵金属，大幅度降*，还*了参数的一致性。 优点 *D具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，*高*约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路*率开关器件的续流二*管、变压器次级用100V以上的高频整流二*管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的*二*管以及PFC升压用600V二*管等，只有使用*外延二*管（FRED）和**二*管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，*能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不*合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压*D，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，*D已取得了*性的进展，150V和
肖特基二*管200V的高压*D已经上市，使用新型材料制作的*过1kV的*D也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。 结构 新型高压*D的结构和材料与传统*D是有区别的。传统*D是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小*D的结电容，*反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N＋衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形*号和等效电路分别如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳并联电容，LS是引线电感，RS是包括半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻，Cj和Rj分别为结电容和结电阻（均为偏流、偏压的函数）。
肖特基二*管大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。
