*供应IRLL024N

品牌：IR/国际整流器	型号：IRLL024N	种类：*缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道	导电方式：增强型	封装外形：CHIP/小型片状
材料：N-FET硅N沟道	开启电压：55（V）	夹断电压：55（V）
跨导：65（μS）	*间电容：510（pF）	低频噪声系数：25（dB）
*大漏*电流：310（mA）	*大耗散功率：100（mW）

家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

65 毫欧 @ 3.1A, 10V

55V

2V @ 250µA

15.6nC @ 5V

3.1A

510pF @ 25V

1W

表面贴装

SOT-223（3 引线 + 接片），SC-73，TO-261AA

带卷 (TR)

1377 (CN091-10 PDF)