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产品属性
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品牌/商标 | VISHAY | 型号/规格 | SI1865DL-T1 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
开启电压 | 0.85(V) | 夹断电压 | 11(V) |
跨导 | *(μS) | *间电容 | *(pF) |
低频噪声系数 | *(dB) | *大漏*电流 | 100(mA) |
*大耗散功率 | 215(mW) |
在SIL865DL包括P -和在一个采用SC70 -6封装的N沟道MOSFET的低导通电阻的P通道TrenchFET是量体裁衣,负载开关,在n-通道与外部电阻器,光纤收发器使用,可用于作为电平转换驱动
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