原装LT1963A*T-1.8 N沟道场效应

地区:广东 深圳
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品牌/商标 Litfuse 型号/规格 LT1963A*T-1.8
应用范围 放大 功率特性 *率
频率特性 高频 *性 NPN型
结构 点接触型 材料 硅(Si)
封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装
营销方式 现货 产品性质 *

供应原装LT1963A*T-1.8 N沟道场效应

70N03ON09+TO-25212000*原装深圳现货 
LT1963A*T-1.8LT05+PBSOT-2236000*原装深圳现货N沟道场效应晶体管
VNN1NV04STM09+PBSOT-22330000原装,优势库存功率晶体管 -意法半导体
UTCLM2940L-5.0VUTC09+PBSOT-22330000原装,优势库存5.0-300毫安低压差电压调节器
UTCLM2940L-3.3VUTC09+PBSOT-22330000原装,优势库存5.0-300毫安低压差电压调节器
UTCLM2940LUTC09+PBSOT-22330000原装,优势库存5.0-300毫安低压差电压调节器
UPC29M05T-E1NEC09+PBSOT-25230000原装,优势库存三端低压差调节器- NEC公司
UPC2933T-E1NEC09+PBSOT-25230000原装,优势库存三端低压差调节器- NEC公司
UPC2933BT-E2NEC09+PBSOT-25230000原装,优势库存三端低压差调节器- NEC公司
UPC2933AT-E2NEC09+PBSOT-25230000原装,优势库存三端低压差调节器- NEC公司
UPC2925T-E1NEC09+PBSOT-25230000原装,优势库存三端低压差调节器- NEC公司
UPC2918T-E1NEC09+PBSOT-25230000原装,优势库存三端低压差调节器- NEC公司
TP2522N8SUPERTEX09+PBSOT-8930000原装,优势库存P沟道增强模式垂直的DMOS场效应管
TP2520N8SUPERTEX09+PBSOT-8930000原装,优势库存P沟道增强模式垂直的DMOS场效应管
TN2524N8SUPERTEX09+PBSOT-8930000原装,优势库存P沟道增强模式垂直的DMOS场效应管
THN6601BTACHYONICS09+PBSOT-22336000原装,优势库存NPN硅锗射频晶体管
THN5601BTACHYONICS09+PBSOT-22356000原装,优势库存NPN硅锗射频晶体管
SUD70N03-04PVISHAY09+TO-25212000*原装深圳现货 
SUD50N03-16P-E3VISHAY09+PBSOT-25225000原装,优势库存16P-N沟道30V MOSFET -Vishay Siliconix
SUD50N03-12PVISHAY09+PBSOT-25215000原装,优势库存12P-N沟道30V MOSFET -Vishay Siliconix
SUD50N03-06APVISHAY09+PBSOT-25215000原装,优势库存N沟道30V MOSFET -Vishay Siliconix
SUD50N03-10VISHAY09+PBSOT-2522000原装,优势库存N沟道30V MOSFET -Vishay Siliconix
SUD50N02-06P-E3VISHAY09+PBSOT-25225000原装,优势库存 
SUD40N08-16-T4VISHAY09+PBSOT-2521380原装,优势库存 
SUB70N03-09BPVISHAY09+PBSOT-2633200原装,优势库存