供应FDS8880
地区:上海 上海市
认证:
无
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产品属性
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N-Channel PowerTrench MOSFET
晶体管*性: N-Channel
汲*/源*击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏*连续电流: 11.6 A
电阻汲*/源* RDS(导通): 0.01 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
*大工作温度: 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 15 ns
*小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 27 ns
工厂包装数量:2500
典型关闭延迟时间: 38 ns
*件号别名: FDS8880_NL
"
FRE*CALE/飞思卡尔
FDS8880
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
10
4.5