供应TO-251测试分选机

唐德机械有限公司研发生产的*晶体管测试分选机，是国内*家无落料等待，机械，测试系统一体化，*率、*的自动化*产品。直线送料采用无振动皮带传送,速度可达1000PCS/MIN.测试.落料采用分割器圆盘结构,速度*高可达250PCS/MIN。经测试后不同参数的晶体管,落入事先设定的落料箱.该分选机机械*运行稳定,故障率底。测试系统是本公司与日本某公司合作研发的新成果,测试功能*.其测试精度、稳定性及兼容性高于目前市场上普遍使用的日本高级测试系统。该套设备每小时**能可*15K,成为该行业**的产品。

机械工作原理
测试产品范围：to-92  to-126  to-220  to-251  to-252  to-3p
   被测试元件通过振动盘振动送料,进入无振动直线送料系统,经入料夹传送至分割器圆盘夹。在测试工位经过测试后,再由圆盘夹传送至相应的落料口,气缸开夹落料,被测试元件经落料管道进入指定的分料箱.测试不良的,进入废料箱。

机器特点

一、  平送送料采用皮带传送,无振动,速度快,稳定。

二、  圆盘式夹料爪采用分割器传动,精准、稳定,故障率*低。

三、  *功能测试*要两道测试工位,耐高压,测试结果*。

四、   测试分类可选择性高,共28个分料箱,可设置27个分类。

五、 经测试过的不同参数元件经过相应的落料管道进入分料箱,无落料等待时间,*高的*了工作效率。

六、 本设备适用测试范围:TO-92、TO-92S、TO-92L、TO-126、TO-220、TO-251、TO-252、TO-220、TO-*等封装类型的分立器件分选测试、兼容*。

七、   测试系统除测试电压,电流等基本参数外,还可测试热阻,T/S值,IC测试电流**到20A。

八、  触摸式平板电脑操作系统,无键盘,无鼠标.操作简单,数据集中。

技术参数

 机械尺寸:1068LX580WX1050H(mm)

 机械重量:约150Kg

 工作电压:220V  50/60HZ

 功率:约1KW

 使用气压:4-5Kg/

     BS-1000晶体管测试系统是按国际有关晶体管测试原理和实验方法标准---GB4587、GB12300.G*128A及行业标准SJ/T10415设计制造的,它采用*的微机控制技术,在测试中能对测试条件自行设定,测试结果自动分档,自动统计及自动加功率(加温)测试。其测试击穿电压可达100V,IC测试电流达20A。系统还能测定BVceo、BVcbo的软硬击穿特性及HFE的线性度K,对HFE、Vces和BVceo等主要参数可用三个不同测试条件一次性完成测试。本系统还可测试晶体管重要的*大额定电流指标参数IC及△Vbe、Rth等功率性能参数。系统可测*N、PNP和达林顿晶体管,还可测可控硅(THYRISTOR)。场效应管(VDMOS)、二*管和稳压管。本系统充分考虑了器件生产企业的要求,实现高稳定、*度、*三大特点,一台测试系统可以同时连接5台机械手工作,是一台*大的晶体管综合测试系统。

工作原理

   系统由微机控制程控电压源、程控电压源,取样电路和切换电路组成。微机根据设定条件自动调整程控源,施加于被测晶体管.再由采样电路采样,经A/D转换于微机显示。

使用条件

   温度:10~30℃

   相对湿度:20%~75%RH(30℃时)

   大气压力:86~106Kpa

   工作电源:220V±10%AC,50Hz±10%周围无强电源干扰。

技术指标

1、程控电压 / 电流源IⅡ，（PMU1，PMU2）   精度±0.1%
   a.电压：±0~20.000V  16位D / A转换、16位A / D采样、量程自动切换
   b.电流：±0~2.0000A  16位D / A转换、16位A / D采样、量程自动切换
 
2、程控电压 / 电流源（DPS）   精度±0.5%
   a.电压：  0~30.00V  12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换
   b.电流：  0~20.00A  12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换
 
3、程控高压源： （DDS）        精度±0.5%
a.电压：20~1000V    12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换
   b.电流：0~20.00mA   12位D / A转换、 16位A / D采样、量程自动切换
 
测试参数
 
4.1、击穿电压测试(BVcbo,BVceo)：
    a.测试条件：IC(IR) < 20mA，
    b.测试范围：0~1000V
    c.精    度：<±（1% + 1di*）
4.2、 击穿电压测试(BVebo)：
    a.测试条件： Ib < 50mA
    b.测试范围： 0~20V
    c.精    度：<±（0.1% + 1di*）
 
5、漏电流测试
    a.测试条件：Vcb、Vce、Vr：0~1000V，Veb≤20V
    b.测试范围：0.01uA~10mA  
    c.精    度：<±（1%+1di*）
  
6、HFE测试
    a.测试条件：IC≤20A，Vce=1~30V，Ib=1uA~2A
    b.测试范围：≥3
    c.精    度：<±（1%+1di*）
 
7、Vbe、VF测试
    a.测试条件：Ie（IF）≤1.0000A
    b.测试范围：0~20.000V
    c.精    度：<±（0.1%+2di*）
 
8、Vces、Vbes、Vbef、Vdf、VTM测试
    a.测试条件：IC≤20A   Ib≤1.0A   Vce=1~30V
    b.测试范围：0~30.000V
    c.精    度：<±（1%+1di*）
 
9、△Vbe、△Icbo、△HFE测试
    a.加温功率PT：1W~100W   IC（Ie）≤5A   Is≤0~100mA
    b.加功率时间： TP=0~1000ms  Td=100~300us
    c.精    度：<±（1%+2i*）