供应TIP32C,硅PNP功率晶体管

硅PNP管，100伏，3安培，40瓦，3兆赫;TIP32是负极输出管,电压为0V或5V的,B极0或5V是触发电压由外接单片机或温控电路提供;TIP32C是一种大功率PNP型三极管，UCEO=100V，IC=3A（持续）或5A（峰值），耗散功率PD=40W;TIP32C是TO-220封装双极型晶体管;TIP32C是硅PNP管，100伏3安培40瓦3兆赫;

硅PNP功率晶体管TIP32C

TRANS PNP EPITAX -3A-100V TO-220

晶体管类型 ：	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大） ：	3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） ：	100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） ：	1.2V @ 375mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大） ：	200µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ：	10 @ 3A, 4V
功率 - 最大 ：	2W
频率 - 转换 ：	3MHz
安装类型 ：	通孔
封装/外壳 ：	TO-220-3
供应商设备封装 ：	TO-220
包装 ：	散装

TIP31C电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-220）

参数符号	符  号  说  明	最小值	典型值	最大值	单  位	测  试  条  件
BVCEO(sus)ICEO ICESIEBOhFE   VCE(sat) VBE(on)fT	集电极—发射极维持电压* 集电极—发射极截止电流集电极—发射极截止电流发射极—基极截止电流直流电流增益*   集电极—发射极饱和电压*基极—发射极导通电压*特征频率	100   25 10   3.0		0.3 200 1   50 1.2 1.8	V mA µA mA   V V MHz	IC=30mA，IB=0 VCE=60V，IB=0 VCE=100V，VEB=0, VEB=5V，IC=0 VCE=4V，IC=1A VCE=4V，IC=3A IC=3A，IB=375mA VCE=4V，IC=3A VCE=10V，IC=0.5A，f=1MHz