产品详情

供应IRF3710PBF，MOSFET N通道

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市赛明电子有限公司

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基本参数：

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET -单
系列：HEXFET
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：100V
Id时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
在Vds时的输入电容(Ciss)：3130pF @ 25V
功率-最大：200W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB


基本参数：

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET -单
系列：HEXFET
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：100V
Id时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
在Vds时的输入电容(Ciss)：3130pF @ 25V
功率-最大：200W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB



基本参数：

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET -单
系列：HEXFET
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：100V
Id时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
在Vds时的输入电容(Ciss)：3130pF @ 25V
功率-最大：200W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB




型号/规格

IRF3710PBF

品牌/商标

IR