基本信息
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) -单路
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA, 500mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 150mA, 10V
资料
功率 - 最大：800mW
频率 - 转换：100MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-39-3, TO-205AD，金属罐
包装：管件
其它名称：497-2634-5
