供应TPS2811DR

地区:广东 深圳
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TPS2811DR,采用 SOIC-8封装方式。
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
类型: High Speed
上升时间: 35 ns
下降时间: 35 ns
传播延迟时间: 50 ns
电源电压(*大值): 14 V
电源电压(*小值): 4 V
电源电流: 0.0002 mA (T*)
*大功率耗散: 730 mW
*大工作温度: + 125 C
*小工作温度: - 40 C
封装 / 箱体: SOIC-8
封装: Reel
安装风格: SMD/SMT
激励器数量: 2
输出端数量: 2
输出电流: 2 A (T*)

型号/规格

TPS2811DR

品牌/商标

TI