IRF630NPBF

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特法电子科技有限公司

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产品相片 TO-220-3, TO-220AB
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装 ?  50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 ?  管件 ? 
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 9.3A (Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 5.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 575pF @ 25V
功率 - 最大值 82W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
型号/规格

IRF630NPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

功率特征

大功率