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产品属性
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热释电红外传感器 RE200B-P 这种传感器是由一种晶体材料做成,当这种晶体表面受到*照射时,会在晶体表面产生电荷。随着光线对晶体照射的改变,电荷量也会发生改变。这个改变的电信号可以通过场效应管来进行测量,基本就是这样的一个原理制作了这样的传感器。这种传感器对于不同波长的光线照射*产生不同程度的响应,因此在传感器前会加入一个滤镜窗口,这就是为什么我们能看到的re200b的to5封装形式中有一个像玻璃似的小窗。当然通过这个滤镜可以限定晶体对特定波长的光线产生响应,一般在8um~14um,这样就*接近人体辐射的*波长了。大概的原理就是这样的,希望能对你有所帮助。
产品说明:
型号 RE200B-P
灵敏元面积 2.0×1.0mm2
基片材料 硅
基片厚度 0.5mm
工作波长 7-14μm
平均透过率 >75%
输出信号 >2.5V
(420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益)
噪声 <200mV
(mVp-p) (25℃)
平衡度 <20%
工作电压 2.2-15V
工作电流 8.5-24μA
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
源*电压 0.4-1.1V
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
工作温度 -20℃- +70℃
保存温度 -35℃- +80℃
视场 139°×126°
说明 该传感器采用热释电材料*化随温度变化的特性探测红外辐射,采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰,*了传感器的工作稳定性。
使用 1、上述特性指标是在源*电阻R2=47KΩ条件下测定的,用户使用传感器时,可根据自己的需要调整R2的大小。
2、注意灵敏元的位置及视场大小,以便得到*佳光学设计。
3、*电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。
4、使用传感时,管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。
5、使用传感器前,应先参考说明书,尤其要*接错管脚
型号 | RE200B |
灵敏元面积 | 2.0×1.0mm2 |
基片材料 | 硅 |
基片厚度 | 0.5mm |
工作波长 | 7-14μm |
平均透过率 | >75% |
输出信号 | >2.5V |
(420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益) | |
噪声 | <200mV |
(mVp-p) (25℃) | |
平衡度 | <20% |
工作电压 | 2.2-15V |
工作电流 | 8.5-24μA |
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) | |
源*电压 | 0.4-1.1V |
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) | |
工作温度 | -20℃- +70℃ |
保存温度 | -35℃- +80℃ |
视场 | 139°×126° |
说明 | 该传感器采用热释电材料*化随温度变化的特性探测红外辐射,采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰,*了传感器的工作稳定性。 |
使用 | 1、上述特性指标是在源*电阻R2=47KΩ条件下测定的,用户使用传感器时,可根据自己的需要调整R2的大小。 2、注意灵敏元的位置及视场大小,以便得到*佳光学设计。 3、*电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。 4、使用传感时,管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。 5、使用传感器前,应先参考说明书,尤其要*接错管脚 |