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西门子IGBT,BSM100GB120DN2

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标 西门子 型号/规格 BSM100GB120DN2
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大
封装外形 SP/*外形 材料 IGBT*缘栅比*
开启电压 800（V） 夹断电压 1200（V）
跨导 1（μS） *间电容 1（pF）
低频噪声系数 1（dB） *大漏*电流 200（mA）
*大耗散功率 1（mW）