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产品属性
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品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | GT50J322 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
封装外形 | SP/*外形 | 材料 | IGBT*缘栅比* |
开启电压 | 600(V) | 夹断电压 | 0(V) |
跨导 | 0(μS) | *间电容 | 0(pF) |
低频噪声系数 | 0(dB) | *大漏*电流 | 5000000(mA) |
*大耗散功率 | 0(mW) |
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TOS日本东芝
GT50J322
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