供应吸收电容1.0UF/1200V

品牌:GRAY 型号:1UF/1200V,2000V 介质材料:*薄膜 应用范围:IGBT,可控硅吸收 外形:圆柱形 功率特性:*率 频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:轴向引出线 允许偏差:&plu*n;10（%） 耐压值:2000（V） 标称容量:1.0（uF） 额定电压:2000（V）

本产品采用无感结构，高压，高DV/DT，大电流，适用于高脉冲，IGBT吸收、可控硅吸收等电路