供应高压瓷片电容(图)

II类：圆片型半导体电容器具有较高的介电常数，电容器体积更小，电容量更大，在电路中常作耦合、旁路之用。 1、 使用温度范围： -25 ～ 85℃ 2、静电容量：在温度25&plu*n;2℃以内、以1&plu*n;0.1KHZ及Vrms=0.1v , 不*过容量精度要求 3、 测试电压：按标称电压之1.5倍测试 4、*缘阻*:依额定电压&plu*n;3%印加60&plu*n;5秒*, UR＞25V , I.R≥1000MΩ，UR≤25V , I.R≥500MΩ 5、损耗角正切值： MAX 5.0%