长期原装快恢复二*管 *2J

快恢复二*管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。*快恢复二*管SRD （Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二*管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二*管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二*管或整流管，是*有发展前途的电力、电子半导体器件。 

1．性能特点
（1）反向恢复时间
  反向恢复时间tr的定义是：电流通过*点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。I_F为正向电流，I_RM为*大反向恢复电流。I_rr为反向恢复电流，通常规定I_rr=0.1I_RM。当t≤t₀时，正向电流I=I_F。当t＞t₀时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流*降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件*过反向电流I_R，并且IR逐渐*；在t=t2时刻**大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻*规定值Irr。从t₂到t₃的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
（2）快恢复、*快恢复二*管的结构特点
  快恢复二*管的内部结构与普通二*管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不*大大减小了t_rr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二*管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。*快恢复二*管的反向恢复电荷进一步减小，使其t_rr可*几十纳秒。
  20A 以下的快恢复及*快恢复二*管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二*管，根据两只二*管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C 20-04型快恢复二*管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）*快恢复二*管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。

几十安的快恢复二*管一般采用TO-*金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。