Honeywell霍尼韦尔单轴磁阻传感器HMC10

电桥偏置
偏置=(输出+)-(输出-)在置位脉冲后磁场
=0高斯V电桥=8V
-60
-15
30
mV
灵敏度(1)(2)
在I偏置=&plu*n;50mA时V电桥=8V
2.5
3.2
4.0
mV/V/高斯
噪声密度(4)
在1HzV电桥=5V时的噪声
29
nV/Hz
分辨率(4)
带宽=10HzV电桥=5V
27
μ高斯
带宽(4)
磁信号(下限=DC)
5
MHz
OFFSET(偏置)带
从OFFSET+至OFFSET-之间进行测量
2.5
3.5
欧姆
OFFSET(偏置)电阻温度系数(4)
TA=-40至125°C
3900
ppm/°C
OFFSET(偏置)磁场(4)
以敏感方向外加的磁场
46
51
56
mA/高斯
置位/复位带
从S/R+至S/R-之间测量
1.5
1.8
欧姆
置位/复位电流(2)(3)(4)
2 μs电流脉冲
3.0
3.2
5
Amp
干扰磁场(4)
灵敏度开始降低使用