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产品属性
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振动加速度传感
一 简介 C*-JSD加速度传感器是我公司自行研制,用于测量加速度的传感器。它采用**MEMS芯片,具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求,制造采用表贴工艺技术。具有高*性和高封装坚固性,并具有自检测功能,可实现(Built-In-Test)检测。
本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器*系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。
二 原理
C*-JSD系列振动加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构,并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个*的固定板和一个与运动质块相连的*板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转,从而产生电压输出信号。
三 技术条件
型号 |
C*-JSD01① |
C*-JSD02 | ||
轴数 |
单 |
双 | ||
供电要求 | ||||
供电电压(V.dc) |
5±5% |
5±5% | ||
输入电流(mA) |
2 |
2 | ||
性能参数 | ||||
测量范围(g) |
±5 |
±10 | ||
*g偏置电压(V) |
+2.5±0.1 |
+2.5±0.1注② | ||
输出灵敏度(mV/g) |
250 |
100 | ||
偏置温漂(g) |
50mv |
2.0 | ||
非线性度(%FS) |
0.2 |
0.2 | ||
分辨力(g) |
2×10-3 |
5×10-3 | ||
带宽(KHZ,max) |
10 |
5 | ||
噪声密度(g/) |
225 |
500 | ||
自检测(Self-Test) |
|
| ||
ST输入电压(V) |
+5 |
+5 | ||
输出响应(V,敏感轴向) |
2.6~3.0 |
2.1∽2.7 | ||
启动时间(ms) |
0.7 |
2 | ||
工作环境 | ||||
使用温度(℃) |
-40~+85注③ |
-40~+85 | ||
耐加速度 |
|
| ||
任意轴,不供电,0.5ms(g) |
1000 |
1000 | ||
任意轴,供电,0.5ms(g) |
500 |
500 | ||
重量体积 | ||||
重量(g) |
﹤35 | |||
体积 |
28×28×16(指单双轴) |
注: ①C*-JSD01振动加速度传感器的代号C*-JSD02后的1、2分别表示两种不同的型号:
1——表示是单轴;2——表示是双轴。单轴振动加速度传感器可选±5g、±25g、±50g、±100g;双轴振动加速度传感器可选用±2g、±10g、±50g。
②指无外界加速度时,输出电压标准值,该值在确定的环境条件下应是确定值。
③ 这里指工业用工作温度范围,也可选商用工作温度范围:
0℃ ~ +70℃.
l
C*
丽智
普通型