3W-5W-7W LED光源模组

熱對高功率LED的影響

LED的工作溫度上升，*主要的影響有二：

?  發光亮度減弱

當LED的p-n接面溫度（Junction Temperature）為25℃（典型工作溫度）時亮度為100，而溫度升高至75℃時亮度就減至80，到125℃剩60，到175℃時只剩40。很明顯的，接面溫度與發光亮度是呈反比線性的關係，溫度愈升高，LED亮度就愈轉暗。

?            使用壽命衰減:

溫度對亮度的影響是線性，但對壽命的影響就呈指數性，同樣以接面溫度為準，若一直保持在50℃以下使用則LED有近20,000小時的壽命，75℃則只剩10,000小時，100℃剩5,000小時，125℃剩2,000小時，150℃剩1,000小時。溫度光從50℃變成2倍的100℃，使用壽命就從20,000小時縮成1/4倍的5,000小時，傷害極大。

矽晶圓封裝基板特色

以半導體製程和微機電精密構裝技術為基礎，在一片6吋矽晶圓上製作各種不同結構與尺寸的封裝用基板，完成包括在黃光室所進行的顯影、蝕刻、蒸鍍及電鍍等製程，並完成微元件及電路製作於一體的矽封裝基板，為*能光電整合元件和高密度積體電路產品提供體積更小、重量更輕、效能更高、具有快速散熱效能的微型光電整合元件。相較於陶瓷基板具有更好的熱傳導性以及低的熱膨脹係數，導熱效果更快，散熱能力更強，及更小的應力問題。

矽晶圓封裝基板之優勢

– 以Silicon為Base，有絕佳的熱傳導效應，可以降低LED的Junction temperature，延長LED壽命

–           具有Through Hole結構，將金屬導線引導至背面，可直接形成SMD元件

–           以半導體製程製作，無須開模﹔產品穩健，線寬控制準確，可大量生產

–           利用Cavity聚光並加上金屬的反射層達到較佳的光指向性與反射性

晶圓級封裝LED

自動化量產的晶圓級封裝( Wafer Scale Package)LED，是在自有專利的矽晶圓封裝基板（Si Wafer Submount）上，將相對應尺寸的晶粒或Flip Chip直接貼合，以打線機連接或透過Chip與Submount上的bump，以銀膠或reflow的共金方式融合，達成*、快速黏合以及簡化均一製程的量產封裝方式。

SiPLED

?        SiPLED的六大優勢

–       Small size SMD

–       Low thermal resistivity & TCE (means high reliability)

–       Competitive price

–       Easy Mo*ze

–       Lambertian Light Distribution(w/o exta Lens & molding)

–       Patent Free