*D保护二*管P*D5V0L4UG L2p L2t L2W 原装NXP 只做

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专题简介:

*D脉冲、电源瞬变、浪涌等现象是损坏芯片的主要原因。【NXP半导体】及【安森美半导体】提供各种类型的*D/TVS保护二*管,*适用于对**D及其他电压突变脉冲。这些器件*多可以保护18个数据通道，*大可*30kV的*脉冲.其引脚容*可*1pF，*适合保护*（可达200MHz以上）数据线，由于他们的小体积及*小的漏电流，因此也适用于一些对空间及功耗要求严格的场合，如电池供电及手持设备。

概述

*D脉冲、电源瞬变、浪涌等现象是损坏芯片的主要原因。NXP提供一个新系列的*D保护二*管,*适用于对**D及其他电压突变脉冲。这些器件*多可以保护18个数据通道，*大可*30kV的*脉冲.其引脚容**为10pF，*适合保护*或高频（可达200MHz以上）数据线，由于他们的小体积及*小的漏电流，他们*适用于一些对空间及功耗要求严格的场合，如电池供电及手持设备。
PSED3V3L2UM及P*D5V0L2UM为市场中*先推出的无引脚封装的*D保护器件,*小的SOT883封装,支持15kV的保护级别, 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm体积使其支持更高的保护级别,体积相比SOT23缩小了90%.

工作温度范围

标准（℃）

功耗

原装

批号

10+

材料

硅(SI)

是否*

是

备注

型号/规格

P*D5V0L4UG

产品类型

瞬变抑制二*管

品牌/商标

NXP/恩智浦

用途

静电保护二*管

主要参数

封装

SOT353