品牌:STC美国硅晶体管 型号:KA78M05TU 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:35（V） 夹断电压:5（V） 低频跨导:50（μS） *间电容:100（pF） 低频噪声系数:20（dB） *大漏*电流:500（mA） *大耗散功率:10000（mW）
描述
- 压降:2V
- 输出数:1
- 针脚数:3
- Voltage Regulator IC Case Style:TO-220
- 工作温度范围:0°C to +125°C
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride
- 封装类型:TO-220
- 工作温度:0°C
- 工作温度*高:125°C
- IC标号:78M05
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)
- 器件标号:78
- 器件标记:KA78M05TU
- 容差, 工作电压 +:5%
- 电压整流器类型:正固定
- 电源电压 *大:20V
- 电源电压 *小:7V
- 表面安装器件:通孔安装
- 输入电压:5V
- 输入电压 *大:35V
- 输入电压 *小:7V
- 输出电压:5V
- 输出电压 *大:5V
- 输出电流 *大:0.5A
- 电压:5V
