*场效应管IRF644，增强型MOS管N沟道
地区：上海 上海市
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产品属性
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| 品牌/商标 | 三星 | 型号/规格 | IRF644 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | /（V）（V） |
| 夹断电压 | /（V）（V） | 跨导 | /（μS）（μS） |
| *间电容 | .（pF）（pF） | 低频噪声系数 | /（dB）（dB） |
| *大漏*电流 | /（mA）（mA） | *大耗散功率 | /（mW）（mW） |
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