现货**童的模组FMG2G150US60E

地区:广东 深圳
认证:

深圳市飞捷士科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 FMG2G150US60E
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频)
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷
开启电压 1(V) 夹断电压 1(V)
跨导 1(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 1(mA)
*大耗散功率 1(mW)

*童 MOS IGBT 场效应管

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:IGBT Modules 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Configuration:Dual 
Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V 
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.2 V 
Continuous Collector Current Ic Max:150 A 
Gate-Emitter Leakage Current:+/- 100 nA 
Power Dissipation:500 W 
Package / Case:PM-GA 
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V 
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V 
Maximum Operating Temperature:150 C 
Minimum Operating Temperature:- 40 C 
Packaging:Bulk
品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FMG2G150US60E